CNRS Université Paris-Sud 11



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CSNSM - UMR8609
Bâtiments 104 et 108
91405 Orsay Campus

+33 1 69 15 52 13
104 +33 1 69 15 50 08
108 +33 1 69 15 52 68
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FIB


Cet outil de pointe est installé sur le campus d’ORSAY au CSNSM (bâtiment 108), sous la responsabilité de F. FORTUNA. L’équipement consiste en un MEB LEO 1530 (canon à effet de champ) équipé d’une colonne FIB (Focus Ions Beam) Orsay Physics. La largeur de faisceau est de l’ordre de 15 nm. L’énergie du faisceau ionique (Ga+) est habituellement de 30keV. L’originalité du système est de pouvoir utiliser des éléments autres que le Ga pour nano-structurer les échantillons. En effet, cette colonne FIB est équipée d’un filtre de masse qui, lorsque l’on monte la source adéquate, permet de produire des faisceaux de Si+ ou Au+. L’enceinte du MEB est également équipée d’un système d’injection de gaz qui permet de réaliser des dépôts localisés à l’échelle nanométrique (fils de 100-200nm de large pour 30µm de long). Ces dépôts peuvent être conducteurs Pt, W ou isolant (SiOx) ; dans le cas du W, les dépôts obtenus deviennent supraconducteurs vers 4K.

Contact scientifique :F. FORTUNA
Contact technique : L. DELBECQ